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氮化镓外延片及芯片制造项目
来源:http://china.fengj.com/ 网优设备网发布时间:2011/2/21文字选择:
  • 项目时间:2011/2/21
  • 投资金额:18968万
  • 所在地区:广东
  • 项目进程:竣工验收

拟在江门高新技术产业园区建设氮化镓外延片及芯片制造项目,本项目的GaN外延片设计产能18万片/年,配套照明用高亮LED芯片设计产能5800KK/年。项目总投资18968万元,建设用地面积30,建设厂房20,000 m2。

项目方联系方式
联系人:
郝先生
联系方式:
13714206269
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