该 项目位于广东省佛山市南海区广东省新光源产业基地,具体位置为基地塱沙2路以北,工贸大道以东,由佛山市国星半导体技术有限公司投资建设,项目主要产品是 年产GaN外延片96万片、芯片63.36亿粒,其中外延片全部用于芯片生产。本项目厂区内将建设一座四层生产厂房(包括外延区和芯片区)、一座七层研发 楼以及生产辅助的氨气站、氢气站、氮气站、化学品暂存间、污水处理站等。本项目规划总用地面积36953.73平方米,一期建筑面积51263.1平方 米。本项目实施后,一次建成满足50条MOCVD生产线及相应的芯片生产设备使用的生产厂房,工艺生产设备和动力设备仅购入一期项目所需20条MOCVD 生产线及相应的芯片生产设备。 项目总投资103868.29万元。